長江存儲vs美光：一場中美芯片戰的“反圍剿”

崛起之前，長江存儲躲不過“專利”這道檻。

11月9日，國內存儲廠商長江存儲在美國加州北區地方法院正式起訴美系存儲大廠美光，指控其侵犯了8項3D NAND相關的美國專利。

長江存儲在專利侵權起訴書中表示，訴訟是為了終止美光廣泛且未經授權使用長江存儲專利創新。

一直以來，國內半導體廠商在海外大廠面前都扮演著“弱者”形象，而這一次長江存儲選擇主動出擊。

在這背后，長江存儲的硬實力是一方面。更重要的是，中國半導體廠商已經重視到專利這把“武器”。

國產廠商，挑戰存儲巨頭

NAND，又叫閃存，是一種非易失性存儲器（ROM），斷電后仍能保存數據，通常應用于外部存儲器。

用通俗的語言，其實就是我們熟知的“硬盤”。

包括SSD固態硬盤、U盤等等在內，其實都是NAND。但一般來說，存儲大廠之間的比拼，都圍繞在大容量數據存儲上。

想要提升NAND的性能，主要有兩個技術路徑。

其一，是和手機芯片類似，提升制程節點；而當傳統2D NAND技術走到瓶頸后，只能通過縱向疊加層數的方式獲取高密度和大容量，這就是3D NAND技術。

長江存儲之所以能在近些年攪局NAND市場，正是在國際存儲巨頭集體轉向3D NAND的重要轉折點，搶先一步量產232層閃存顆粒，并交付給第三方企業進行封裝流入市場。

這一切，得益于長江存儲在2018年發布的名為“Xtacking架構”的新技術。

該技術簡單來說是可以實現并行、模塊化產品設計及制造，縮短開發時間和生產周期的同時，還能實現比傳統3D NAND技術更高的存儲密度與性能。

在這個buff的加持下，長江存儲一路開掛。

不僅快速追上與海力士、三星等大廠的距離，并且在同行剛開啟商業化時，率先實現量產。

目前，Xtacking技術已經發展到3.0，不少存儲國際大廠都對技術非常感興趣，甚至傳出不排除以技術交叉授權的方式來彼此合作，足以看出長江存儲在專利層面的儲備。

在指控書里，長江存儲表示，美光侵犯了美國專利號為“10,950,623”、“11,501,822”、“10,658,378”、“10,937,806”、“10,861,872”、“11,468,957”、“11,600,342”和“10,868,031"，涉及侵權的產品包括96層、128層、176層、232層的3D NAND。

半導體知識產權專家表示，這些專利的申請日都在2018年之后，并不是長江存儲早期成立時的專利，而是與Xtacking技術關系緊密，因此大概率會與美光技術產生重復，且技術成熟度可能會更好。

此外，根據IFI Claims的統計顯示，長江存儲在2020年之后在美國陸續有獲得專利授權，并且在近兩年呈現出穩定和增長的態勢，目前已經有近400項專利，足以看出長江存儲在美國布局專利的力度。

值得一提的是，在長江存儲成立之初，中科院微電子所向其授權了1000多項閃存專利，更直接派出了工程師團隊現場支援。也正是這些積累多年的專利，為長江存儲的快速成長奠定了基礎。

專利戰，虛虛實實

雖然長江存儲在美國本土專利儲備上做足了準備，但相比于美光近13100項有效的美國專利，前者還是有種“蚍蜉撼大樹”的感覺。

而在今年1月份，有一家名為BeSang的美國初創公司，同樣因為3D NAND技術起訴了美光和英特爾，但因其體量過小，目前也沒有太大進展。

另一方面，在長江存儲指控的176層3D NAND技術上，美光其實是全球首個實現量產的廠商，在其專有的CuA（CMOS-under-array）架構下，美光的進度算是最快的。

既然有這么多不利因素，那么長江存儲為何還要死磕美光呢？

據《 問芯Voice》的報道，專利戰真正目的，是為了在美國的出口管制封鎖下，為公司爭取公平談判的機會，是為公司的生存而戰。

在過去幾十年間，西方科技巨頭之間的專利大戰屢見不鮮，而中國廠商在近些年才開始涉及到專利糾紛，多少有些“不適應。

對于科技公司而言，知識產權其實是公司的競爭力之一，而專利則是知識產權的核心構成。

因此科技巨頭之間的專利大戰，金錢利益永遠不是第一位，市場競爭才是背后更重要的一環。

就長江存儲而言，目前雖然在NAND市場有了一席之地，但依然受到了不少打壓。

為了打開更大的市場，競爭是躲不了的一環。

圖源 | 長橋海豚投研

比起三星、海力士等韓系大廠，美光自帶“美國半導體企業”的身份，更容易受到市場的關注。

尤其是在中美半導體行業持續對抗、中國企業長期受到出口管制的不公平對待的大背景下，“長江存儲vs美光”的對抗更有機會提升中國企業的信息。

另一方面，目前美光在國內被限制，自身發展又受到半導體“周期性”影響，仍處在低谷，對于長江存儲而言，這正是難得的機會。

這或許印證了那句，“進攻就是最好的防守”。

專利戰的虛虛實實背后，長江存儲足夠吸引全行業的目光。

勝算雖大，國產存儲依然很難

去年年底，長江存儲被美國商務部列入實體清單，限制了先進設備材料的進出口。這恰好是長江存儲公開宣布232層顆粒量產的時間。

在失去領先的“窗口期”之后，美光、SK海力士、三星等廠商逐漸追了上來，在技術上還反超了長江存儲。

目前，SK海力士已經公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品，三星、美光也陸續曝光300+層NAND閃存。

顯然，長江存儲在300+層時代開始走向了落后。

不過在價格、以及產品優勢面前，長江存儲還是能在短時間內攪動市場。

同時，國家集成電路產業投資基金繼續為長江進行投資，保證其產能以及研發進度。

希望這次專利訴訟，能為長江存儲再次爭取到下一個“窗口”，同時也為更多中國半導體企業帶來信心。

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